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一款基于SiGe工艺的宽带射频驱动放大器-现代电子技术2025年02期

一款基于SiGe工艺的宽带射频驱动放大器

作者:张斌 蒋颖丹 权帅超 汪柏康 孙莎莎 秦战明 孙文俊 字体:      

摘  要: 为了降低温漂效应对放大器的影响,通过理论分析,设计了一款集成有温度补偿直流偏置网络的宽带射频驱动放大器。为了提高增益和输出功率,电路采用两级差分共射⁃共基极(cascode)结构,输出端口集成了(试读)...

现代电子技术

2025年第02期